IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET, CoolGaN™, полевой, HEMT, 600В, 12,5А, Idm: 23А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 300 руб.
от 3 шт. —
2 600 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 300 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Описание Транзистор: N-JFET, CoolGaN™, полевой, HEMT, 600В, 12,5А, Idm: 23А Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | JFET |
Технические параметры
Вес, г | 0.85 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов