IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET, CoolGaN™, полевой, HEMT, 600В, 12,5А, Idm: 23А

Фото 1/2 IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET, CoolGaN™, полевой, HEMT, 600В, 12,5А, Idm: 23А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 300 руб.
от 3 шт.2 600 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 300 руб.
Номенклатурный номер: 8002615588
Артикул: IGT60R190D1SATMA1

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Описание Транзистор: N-JFET, CoolGaN™, полевой, HEMT, 600В, 12,5А, Idm: 23А Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид JFET

Технические параметры

Вес, г 0.85

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов