TPC8125, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -10А, 1Вт, SOP8

Фото 1/3 TPC8125, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -10А, 1Вт, SOP8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4278 шт., срок 6 недель
280 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002621590
Артикул: TPC8125
Бренд: Toshiba

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMD
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -10А, 1Вт, SOP8 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 10 A
Maximum Drain Source Resistance 17 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Source Voltage -25 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.9 W
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOP
Pin Count 8
Series TPC
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 64 nC @ 10 V
Width 3.9mm
Вес, г 0.09

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TPC8125
pdf, 221 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.