AOK40B65H1, Транзистор: IGBT, 650В, 40А, 150Вт, TO247, Eвыкл: 0,46мДж
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 000 руб.
от 3 шт. —
870 руб.
от 10 шт. —
687 руб.
от 80 шт. —
594.09 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 000 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 40А, 150Вт, TO247, Eвыкл: 0,46мДж Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Collector current | 40A |
| Collector-emitter saturation voltage | 1.9V |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Gate charge | 63nC |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 150W |
| Pulsed collector current | 120A |
| Turn-off switching energy | 0.46mJ |
| Turn-off time | 173ns |
| Turn-on switching energy | 1.27mJ |
| Turn-on time | 82ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.125 |
Техническая документация
Datasheet AOK40B65H1
pdf, 524 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
![IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
