IXFT24N90P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 900В, 24А, 660Вт, TO268

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 440 руб.

от 3 шт. — 3 460 руб.

от 10 шт. — 2 830 руб.

от 30 шт. — 2 566.68 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 440 руб.

Номенклатурный номер: 8002622357

Артикул: IXFT24N90P

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 900В, 24А, 660Вт, TO268 Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	24 A
Pd - рассеивание мощности	660 W
Qg - заряд затвора	130 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	420 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	900 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	6.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	40 ns
Время спада	38 ns
Высота	5.1 mm
Длина	16.05 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HyperFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	16 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXFT24N90
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	68 ns
Типичное время задержки при включении	46 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-268-3
Ширина	14 mm
Вес, г	4.09