IXFN120N65X2, Модуль, одиночный транзистор, 650В, 108А, SOT227B, Ugs ±40В, 890Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 330 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 330 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\Transistor modules MOSFET\Semiconductors
Описание Модуль, одиночный транзистор, 650В, 108А, SOT227B, Ugs ±40В, 890Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | SOT227B |
Drain current | 108A |
Drain-source voltage | 650V |
Electrical mounting | screw |
Gate charge | 240nC |
Gate-source voltage | ±40V |
Kind of channel | enhanced |
Manufacturer | IXYS |
Mechanical mounting | screw |
On-state resistance | 24mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 890W |
Pulsed drain current | 240A |
Reverse recovery time | 220ns |
Semiconductor structure | single transistor |
Technology | HiPerFET™, X2-Class |
Type of module | MOSFET transistor |
Вес, г | 37.12 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 138 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов