IGP10N60T, Транзистор: IGBT, 600В, 18А, 110Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
510 руб.
от 3 шт. —
390 руб.
от 10 шт. —
337 руб.
от 50 шт. —
266.26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 руб.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IGP10N60T производителя INFINEON является надежным полупроводниковым компонентом для использования в силовой электронике. Оснащенный корпусом PG-TO220-3 для монтажа THT, этот IGBT транзистор способен выдерживать ток коллектора до 18 А и напряжение коллектор-эмиттер до 600 В, обеспечивая при этом мощность до 110 Вт. Превосходный выбор для разработки высокоэффективных и надежных цепей питания и инверторов. Модель IGP10N60T отличается высокой производительностью и долговечностью, что делает ее предпочтительным решением среди профессионалов. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 18 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
Мощность, Вт | 110 |
Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 110 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 9.25 mm |
Длина | 10 mm |
Другие названия товара № | IGP10N60TXKSA1 IGP1N6TXK SP000683042 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 24 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | TRENCHSTOP IGBT |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.4 mm |
Вес, г | 2.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 393 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов