TEMT7000X01, Фототранзистор, 0805, -p макс: 850нм, 20В, 60°, Линза: прозрачная
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Кратность заказа 2 шт.
от 10 шт. —
93 руб.
от 50 шт. —
84 руб.
от 250 шт. —
61.60 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
Oптоэлектроника\Фотоэлементы\Фототранзисторы
Описание Фототранзистор, 0805, -p макс: 850нм, 20В, 60°, Линза: прозрачная
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.40.70.80 |
Type | IR Chip |
Phototransistor Type | Phototransistor |
Lens Shape Type | Flat |
Material | Silicon |
Number of Channels per Chip | 1 |
Polarity | NPN |
Half Intensity Angle Degrees (°) | 120 |
Viewing Orientation | Top View |
Peak Wavelength (nm) | 850 |
Cut-Off Filter | Visible Cut-off |
Maximum Light Current (uA) | 675 |
Maximum Collector Current (mA) | 20 |
Maximum Dark Current (nA) | 100 |
Maximum Emitter-Collector Voltage (V) | 7 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 20 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 100 |
Fabrication Technology | NPN Transistor |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
Packaging | Tape and Reel |
Standard Package Name | SMD |
Pin Count | 2 |
Supplier Package | SMD |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 0.85 |
Package Length | 2 |
Package Width | 1.25 |
PCB changed | 2 |
Wavelength Typ | 850nm; Viewing Angle |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Документация
pdf, 128 КБ