TEMT7000X01, Фототранзистор, 0805, -p макс: 850нм, 20В, 60°, Линза: прозрачная

Фото 1/3 TEMT7000X01, Фототранзистор, 0805, -p макс: 850нм, 20В, 60°, Линза: прозрачная
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
140 руб.
Кратность заказа 2 шт.
от 10 шт.93 руб.
от 50 шт.84 руб.
от 250 шт.61.60 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 280 руб.
Номенклатурный номер: 8002628548
Артикул: TEMT7000X01

Описание

Oптоэлектроника\Фотоэлементы\Фототранзисторы
Описание Фототранзистор, 0805, -p макс: 850нм, 20В, 60°, Линза: прозрачная

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.40.70.80
Type IR Chip
Phototransistor Type Phototransistor
Lens Shape Type Flat
Material Silicon
Number of Channels per Chip 1
Polarity NPN
Half Intensity Angle Degrees (°) 120
Viewing Orientation Top View
Peak Wavelength (nm) 850
Cut-Off Filter Visible Cut-off
Maximum Light Current (uA) 675
Maximum Collector Current (mA) 20
Maximum Dark Current (nA) 100
Maximum Emitter-Collector Voltage (V) 7
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 20
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.4
Maximum Power Dissipation (mW) 100
Fabrication Technology NPN Transistor
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Maximum Operating Temperature (°C) 100
Packaging Tape and Reel
Standard Package Name SMD
Pin Count 2
Supplier Package SMD
Mounting Surface Mount
Package Height 0.85
Package Length 2
Package Width 1.25
PCB changed 2
Wavelength Typ 850nm; Viewing Angle
Вес, г 0.02

Техническая документация

Документация
pdf, 128 КБ