STW28NM50N, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 13А, 150Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
135 шт., срок 7 недель
920 руб.
от 3 шт. —
820 руб.
от 10 шт. —
636 руб.
от 30 шт. —
533.06 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 920 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор полевой STW28NM50N от STMicroelectronics – это надежный N-MOSFET компонент, предназначенный для THT (сквозного) монтажа. Обладает током стока 13 А и напряжением сток-исток 500 В, что позволяет использовать его в широком спектре электронных схем. Мощность транзистора достигает 150 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,135 Ом, обеспечивает эффективную работу. Корпус TO247 обеспечивает удобную установку и надежность при эксплуатации. Выбирая STW28NM50N, вы получаете качество от известного производителя STMicroelectronics. Артикул STW28NM50N подтверждает подлинность и соответствие требуемым характеристикам. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 13 |
| Напряжение сток-исток, В | 500 |
| Мощность, Вт | 150 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.135 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 158 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Width | 5.15mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Fall Time: | 52 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 1.5 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 21 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 50 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 158 mOhms |
| Rise Time: | 19 ns |
| Series: | STW28NM50N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | N-Channel MDmesh II Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 4.49 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
