IRFBG20PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 1000В 1,4A 54Вт TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
310 руб.
от 3 шт. —
250 руб.
от 10 шт. —
225 руб.
от 50 шт. —
174.82 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 310 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 1000В 1,4A 54Вт TO220AB Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 1,4 A |
Тип корпуса | TO-220AB |
Максимальное рассеяние мощности | 54 W |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Ширина | 4.7мм |
Высота | 9.01мм |
Размеры | 10.41 x 4.7 x 9.01мм |
Материал транзистора | SI |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 10.41мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 9.4 ns |
Производитель | Vishay |
Типичное время задержки выключения | 58 нс |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 11 Ω |
Максимальное напряжение сток-исток | 1000 V |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 38 нКл при 10 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 500 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.4A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 54W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11Ohm @ 840mA, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 1.4 A |
Maximum Drain Source Resistance | 11 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 54 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
Width | 4.7mm |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 507 КБ
Документация
pdf, 512 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов