IXA12IF1200PB, Транзистор IGBT, Planar, 1,2кВ, 13А, 85Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 010 руб.
от 3 шт. —
890 руб.
от 10 шт. —
696 руб.
от 50 шт. —
582.52 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 010 руб.
Описание
Описание Транзистор IGBT, Planar, 1,2кВ, 13А, 85Вт, TO220-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +125 °C |
Maximum Power Dissipation | 85 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 2.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXA12IF1200PB
pdf, 152 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов