IRFZ44NLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 55В, 49А, 110Вт, TO262
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
от 3 шт. —
290 руб.
от 10 шт. —
247 руб.
от 50 шт. —
185.20 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | TO262 |
Drain current | 49A |
Drain-source voltage | 55V |
Gate charge | 42nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Mounting | THT |
On-state resistance | 17.5mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 110W |
Technology | HEXFET® |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1.574 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 157 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов