AOTF10B60D, Транзистор: IGBT, 600В, 10А, 16,7Вт, TO220F, Eвыкл: 0,16мДж
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
500 руб.
от 5 шт. —
420 руб.
от 25 шт. —
324 руб.
от 100 шт. —
272.22 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор БТИЗ AOTF10B60D от компании ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR отличается высокими рабочими характеристиками. Предназначен для монтажа в THT-исполнении, этот IGBT транзистор обеспечивает ток коллектора до 10 А и напряжение коллектор-эмиттер до 600 В, что позволяет использовать его в мощных и высоковольтных схемах. Корпус TO220F гарантирует надежность и долговечность при эксплуатации. Артикул AOTF10B60D гарантирует легкость в поиске и заказе данного компонента для электроники. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 10 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
| Корпус | TO220F |
Технические параметры
| Case | TO220F |
| Collector current | 10A |
| Collector-emitter saturation voltage | 1.53V |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Gate charge | 17.4nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 16.7W |
| Pulsed collector current | 40A |
| Turn-off switching energy | 0.16mJ |
| Turn-off time | 80.8ns |
| Turn-on switching energy | 0.35mJ |
| Turn-on time | 25ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 1.787 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 732 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
