IGW40T120, Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 40А, 483Вт, TO247-3

Фото 1/2 IGW40T120, Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 40А, 483Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 110 руб.
от 5 шт.1 650 руб.
от 30 шт.1 350 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 110 руб.
Номенклатурный номер: 8002645430
Артикул: IGW40T120

Описание

Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор БТИЗ IGW40T120 от производителя INFINEON – это высокомощный компонент для эффективного управления электрическими нагрузками. Предназначенный для монтажа в отверстия печатной платы (THT), данный транзистор способен выдерживать ток коллектора до 40 А и напряжение коллектор-эмиттер до 1200 В, обеспечивая превосходные характеристики в широком диапазоне применений. С максимальной мощностью 483 Вт и корпусом PG-TO247-3, этот IGBT транзистор является идеальным решением для систем управления мощностью. Продукт IGW40T120 сочетает в себе надежность и производительность, что делает его предпочтительным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT
Монтаж THT
Ток коллектора, А 40
Напряжение коллектор-эмиттер, В 1200
Мощность, Вт 483
Корпус PG-TO247-3

Технические параметры

Case TO247-3
Collector current 40A
Collector-emitter voltage 1.2kV
Gate-emitter voltage ±20V
Kind of package tube
Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting THT
Power dissipation 270W
Pulsed collector current 105A
Semiconductor structure single transistor
Technology TRENCHSTOP™
Type of transistor IGBT
Вес, г 6.13

Техническая документация

Datasheet
pdf, 303 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов