IXTQ22N60P, MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 020 руб.

от 10 шт. — 1 650 руб.

от 30 шт. — 1 400 руб.

от 120 шт. — 1 128.45 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 020 руб.

Номенклатурный номер: 8004636853

Артикул: IXTQ22N60P

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

Описание Транзистор: N-MOSFET, PolarHV™, полевой, 600В, 22А, 400Вт, TО3Р Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	22 A
Pd - рассеивание мощности	400 W
Qg - заряд затвора	62 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	350 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	20 ns
Время спада	23 ns
Высота	20.3 mm
Длина	15.8 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	21 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXTQ22N60
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	60 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3P-3
Ширина	4.9 mm
Вес, г	5.5

Мы рекомендуем