DMC2400UV-7, Транзистор МОП n/Транзистор P-МОП, полевой, полевой, 20/-20В, 1,03А, 450мВт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
61 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
23 руб.
от 250 шт. —
18 руб.
от 1000 шт. —
13.20 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 305 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 10.54 ns, 19.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.03 A, 700 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | SOT-563-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 70 pC, 850 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 480 mOhms, 970 mOhms |
| Rise Time: | 7.28 ns, 4.3 ns |
| Series: | DMC2400 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13.74 ns, 20.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.06 ns, 8.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +5 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Maximum Continuous Drain Current | 1 A, 700 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, -8 V, +12 V, +8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-563 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.25mm |
| Вес, г | 0.02 |
