IXFN66N85X, Модуль, одиночный транзистор, 850В, 65А, SOT227B, Ugs: ±40В, 860Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 000 руб.
от 3 шт. —
10 280 руб.
от 10 шт. —
8 990 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\Transistor modules MOSFET\Semiconductors
Описание Модуль, одиночный транзистор, 850В, 65А, SOT227B, Ugs: ±40В, 860Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Drain current | 65A |
| Drain-source voltage | 850V |
| Electrical mounting | screw |
| Gate charge | 230nC |
| Gate-source voltage | ±40V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | IXYS |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 65mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 830W |
| Pulsed drain current | 140A |
| Reverse recovery time | 250ns |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | HiPerFET™, X-Class |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Вес, г | 37.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 136 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
