CSD18503Q5AT, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 100А, 120Вт, VSONP8, 5x6мм
![Фото 1/2 CSD18503Q5AT, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 100А, 120Вт, VSONP8, 5x6мм](https://static.chipdip.ru/lib/633/DOC044633832.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/214/DOC027214400.jpg)
390 руб.
от 5 шт. —
300 руб.
от 25 шт. —
225 руб.
от 100 шт. —
175.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 390 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 100А, 120Вт, VSONP8, 5x6мм Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
Fall Time: | 2.6 ns |
Forward Transconductance - Min: | 100 S |
Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | VSONP-8 |
Pd - Power Dissipation: | 120 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 32 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.7 mOhms |
Rise Time: | 8.8 ns |
Series: | CSD18503Q5A |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | NexFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 4.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Вес, г | 0.3 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары