IXFK180N25T, Транзистор N-MOSFET, 250В, 180А, 1390Вт, TO264

IXFK180N25T, Транзистор N-MOSFET, 250В, 180А, 1390Вт, TO264
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 060 руб.
от 3 шт.4 200 руб.
от 10 шт.3 620 руб.
от 25 шт.3 319.18 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 060 руб.
Номенклатурный номер: 8002658174
Артикул: IXFK180N25T
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case TO264
Drain current 180A
Drain-source voltage 250V
Features of semiconductor devices thrench gate power mosfet
Gate charge 364nC
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer IXYS
Mounting THT
On-state resistance 12.9mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 1390W
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 9.83

Техническая документация

Datasheet
pdf, 179 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов