IXA12IF1200HB, Транзистор: IGBT, Planar, 1,2кВ, 13А, 85Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 210 руб.

от 3 шт. — 1 070 руб.

от 10 шт. — 831 руб.

от 30 шт. — 696.51 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 210 руб.

Номенклатурный номер: 8002659589

Артикул: IXA12IF1200HB

Описание Транзистор: IGBT, Planar, 1,2кВ, 13А, 85Вт, TO247-3 Характеристики

California Prop 65	Warning Information
Current - Collector (Ic) (Max)	20A
ECCN	EAR99
Gate Charge	27nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	PT
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-3
Power - Max	85W
REACH Status	REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)	350ns
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-247AD (HB)
Switching Energy	1.1mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition	600V, 10A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	20 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+125 °C
Maximum Power Dissipation	85 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	6.09