SKM200GAL125D, Модуль БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 20А, P 94Вт, Ifsм 40А, SEмITrans3, В D56, винтами
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 шт., срок 7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
50 590 руб.
от 3 шт. —
43 540 руб.
от 8 шт. —
39 350 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 50 590 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors
Технические параметры
| Application | frequency changer, Inverter |
| Case | SEMITRANS3 |
| Collector current | 20A |
| Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | SEMIKRON DANFOSS |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Pulsed collector current | 40A |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Topology | boost chopper |
| Type of module | IGBT |
| Version | D56 |
| Вес, г | 300.2 |
Техническая документация
Datasheet SKM200GB125D
pdf, 706 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
