TK100E10N1,S1X(S, Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

14100 шт., срок 7-9 недель

320 руб.

Мин. кол-во для заказа 750 шт.

Кратность заказа 50 шт.

Добавить в корзину 750 шт. на сумму 240 000 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003288416

Артикул: TK100E10N1,S1X(S

Бренд: Toshiba

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Транзистор полевой N-канальный 100В 207A 255Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	207 A
Maximum Drain Source Resistance	3.4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	255 W
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Series	TK
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	140 nC @ 10 V
Width	4.45mm
Вес, г	1