AS4C4M16SA-6TINTR, Микросхема памяти, SDRAM, 4Mx16бит, 3,3В, 6нс, TSOP54

Фото 1/2 AS4C4M16SA-6TINTR, Микросхема памяти, SDRAM, 4Mx16бит, 3,3В, 6нс, TSOP54
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
970 руб.
от 5 шт.920 руб.
от 25 шт.707 руб.
от 100 шт.607.35 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 970 руб.
Номенклатурный номер: 8002666680
Артикул: AS4C4M16SA-6TINTR

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемы
Описание Микросхема памяти AS4C4M16SA-6TINTR от производителя ALLIANCE MEMORY представляет собой высококачественный SDRAM компонент, выполненный в корпусе TSOP54 для монтажа типа SMD. С частотой работы 166 МГц и объемом памяти 64Мбит, данный продукт обеспечивает отличную производительность для вашей электроники. Работает при напряжении питания от 3,3 В до 3,3 В, что делает его идеальным для использования в различных областях применения, требующих стабильной и надежной работы памяти. Код товара AS4C4M16SA6TINTR подтверждает подлинность и качество продукта, обеспечивая его легкую интеграцию в современные электронные устройства. Характеристики
Категория Микросхема
Тип памяти
Вид SDRAM
Монтаж SMD
Частота, МГц 166
Объем памяти 64Мбит
Мин.напряжение питания, В 3.3
Макс.напряжение питания, В 3.3
Корпус TSOP54

Технические параметры

Вес, г 0.55

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем