IXFX180N15P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 180А, 830Вт, PLUS247™
![Фото 1/2 IXFX180N15P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 180А, 830Вт, PLUS247™](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880123.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/228/DOC000228806.jpg)
4 170 руб.
от 3 шт. —
3 710 руб.
от 10 шт. —
2 960 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 170 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 180А, 830Вт, PLUS247™ Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
California Prop 65 | Warning Information |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 180A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power Dissipation (Max) | 830W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 90A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў -> |
Supplier Device Package | PLUS247в„ў-3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IXFX180N15P
pdf, 219 КБ
IXFX180N15P
pdf, 174 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
ST Microelectronics
3 520 руб.