BSS138BK,215, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 60В, 360мА, 350мВт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33373 шт., срок 7 недель
130 руб.
от 10 шт. —
67 руб.
от 25 шт. —
42 руб.
от 100 шт. —
24.12 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Транзистор полевой N-канальный 60В 1.14Вт
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 360mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6О© @ 350mA,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.6V @ 250uA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 360 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 420 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.48V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.