MMBFJ202, Транзистор N-JFET, полевой, 325мВт, SOT23, 50мА
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
39 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 50 шт. —
30 руб.
от 250 шт. —
24 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 390 руб.
Номенклатурный номер: 8002671395
Артикул: MMBFJ202
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***
Описание
JFET, N CHANNEL, -40V, SOT-23-3; Breakdown Voltage Vbr:-40V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:900µA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:4.5mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-4V; Transistor Case Style:SOT-23; Transistor Type:JFET; No. of Pins:3 Pin; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); No. of Pins:3Pins; Power Dissipation Pd:350mW
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Configuration | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0 | 4.5 mA |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gate-Source Cutoff Voltage | -4 V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Operating Temperature Range | -55 C to+150 C |
| Package / Case | SOT-23 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| Product Category | JFET |
| RoHS | Details |
| Series | MMBFJ202 |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Unit Weight | 0.001058 oz |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -40 V |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Darasheet MMBFJ201, MMBFJ202 (ONS)
pdf, 475 КБ
