MMBFJ202, Транзистор N-JFET, полевой, 325мВт, SOT23, 50мА

Фото 1/2 MMBFJ202, Транзистор N-JFET, полевой, 325мВт, SOT23, 50мА
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
39 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 50 шт.30 руб.
от 250 шт.24 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 390 руб.
Номенклатурный номер: 8002671395
Артикул: MMBFJ202
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

JFET, N CHANNEL, -40V, SOT-23-3; Breakdown Voltage Vbr:-40V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:900µA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:4.5mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-4V; Transistor Case Style:SOT-23; Transistor Type:JFET; No. of Pins:3 Pin; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); No. of Pins:3Pins; Power Dissipation Pd:350mW

Технические параметры

Brand ON Semiconductor/Fairchild
Configuration Single
Drain-Source Current at Vgs=0 4.5 mA
Factory Pack Quantity 3000
Gate-Source Cutoff Voltage -4 V
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Style SMD/SMT
Operating Temperature Range -55 C to+150 C
Package / Case SOT-23
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 350 mW
Product Category JFET
RoHS Details
Series MMBFJ202
Transistor Polarity N-Channel
Unit Weight 0.001058 oz
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage -40 V
Вес, г 0.02

Техническая документация