IXTH30N60L2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 30А, 540Вт, TO247-3, 710нс

Фото 1/2 IXTH30N60L2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 30А, 540Вт, TO247-3, 710нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 730 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 730 руб.
Номенклатурный номер: 8021751813
Артикул: IXTH30N60L2
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 30А, 540Вт, TO247-3, 710нс Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Case TO247-3
Drain current 30A
Drain-source voltage 600V
Features of semiconductor devices linear power mosfet
Gate charge 335nC
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer IXYS
Mounting THT
On-state resistance 0.24Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 540W
Reverse recovery time 710ns
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 8.17

Техническая документация

Datasheet
pdf, 143 КБ