IXTQ22N50P, Транзистор N-MOSFET, 500В, 22А, 350Вт, TO3P, 400нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 470 руб.
от 3 шт. —
1 300 руб.
от 10 шт. —
1 010 руб.
от 30 шт. —
827.44 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 470 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор N-MOSFET, 500В, 22А, 350Вт, TO3P, 400нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.27Ом |
Power Dissipation | 350Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Polar |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
Непрерывный Ток Стока | 22А |
Пороговое Напряжение Vgs | 5.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3P |
Вес, г | 5.293 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов