IXTQ22N50P, Транзистор N-MOSFET, 500В, 22А, 350Вт, TO3P, 400нс

Фото 1/3 IXTQ22N50P, Транзистор N-MOSFET, 500В, 22А, 350Вт, TO3P, 400нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 470 руб.
от 3 шт.1 300 руб.
от 10 шт.1 010 руб.
от 30 шт.827.44 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 470 руб.
Номенклатурный номер: 8002728073
Артикул: IXTQ22N50P
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор N-MOSFET, 500В, 22А, 350Вт, TO3P, 400нс Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.27Ом
Power Dissipation 350Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции Polar
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 500В
Непрерывный Ток Стока 22А
Пороговое Напряжение Vgs 5.5В
Стиль Корпуса Транзистора TO-3P
Вес, г 5.293

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов