YJQ4666B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15000 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 393 шт.
от 900 шт. —
7 руб.
от 3800 шт. —
6.13 руб.
Добавить в корзину 393 шт.
на сумму 3 537 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Транзистор P-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, -16В, -5,6А, 2,2Вт
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 18000 |
| Case | DFN2020-6 |
| Drain current | -5.6A |
| Drain-source voltage | -16V |
| Gate charge | 7.2nC |
| Gate-source voltage | ±10V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 60mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 2.2W |
| Pulsed drain current | -28A |
| Technology | TRENCH POWER LV |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.042 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 719 КБ
Документация
pdf, 436 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![AO3442A, Транзистор N-MOSFET 100В 1А [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![AO4466, Транзистор N-MOSFET 30В 10А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
