YJQ4666B

Фото 1/2 YJQ4666B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15000 шт. со склада г.Москва
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 393 шт.
от 900 шт.7 руб.
от 3800 шт.6.13 руб.
Добавить в корзину 393 шт. на сумму 3 537 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017877421

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET
Транзистор P-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, -16В, -5,6А, 2,2Вт

Технические параметры

кол-во в упаковке 18000
Case DFN2020-6
Drain current -5.6A
Drain-source voltage -16V
Gate charge 7.2nC
Gate-source voltage ±10V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting SMD
On-state resistance 60mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 2.2W
Pulsed drain current -28A
Technology TRENCH POWER LV
Type of transistor P-MOSFET
Вес, г 0.042

Техническая документация

Datasheet
pdf, 719 КБ
Документация
pdf, 436 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.