YJQ4666B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15000 шт. со склада г.Москва
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 393 шт.
от 900 шт. —
7 руб.
от 3800 шт. —
6.13 руб.
Добавить в корзину 393 шт.
на сумму 3 537 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Транзистор P-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, -16В, -5,6А, 2,2Вт
Технические параметры
кол-во в упаковке | 18000 |
Case | DFN2020-6 |
Drain current | -5.6A |
Drain-source voltage | -16V |
Gate charge | 7.2nC |
Gate-source voltage | ±10V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | YANGJIE TECHNOLOGY |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 60mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 2.2W |
Pulsed drain current | -28A |
Technology | TRENCH POWER LV |
Type of transistor | P-MOSFET |
Вес, г | 0.042 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 719 КБ
Документация
pdf, 436 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары