IXFH100N25P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 100А, 600Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 680 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 680 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 100А, 600Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 100A |
| Drain-source voltage | 250V |
| Gate charge | 185nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 27mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 600W |
| Technology | HiPerFET™, Polar™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 136 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
