IRF520S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
от 2 шт. —
420 руб.
от 5 шт. —
339 руб.
от 9 шт. —
313.74 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9.2A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W(Ta), 60W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 5.5A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3.7 W |
| Qg - заряд затвора | 16 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRF520SPBF
pdf, 184 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
