IXFH120N25T, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 120А, 890Вт, TO247-3, 108нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 440 руб.
от 3 шт. —
2 730 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 440 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 120А, 890Вт, TO247-3, 108нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 120A |
| Drain-source voltage | 250V |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Gate charge | 180nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 23mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 890W |
| Reverse recovery time | 108ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 183 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
