IKQ75N120CH3XKSA1, Биполярный транзистор с изолированным затвором 1.2кВ, 150А, 938Вт, TO-247

Фото 1/5 IKQ75N120CH3XKSA1, Биполярный транзистор с изолированным затвором 1.2кВ, 150А, 938Вт, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
990 руб.
от 7 шт.910 руб.
от 13 шт.858 руб.
от 30 шт.831 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 990 руб.
Номенклатурный номер: 8002860169
Артикул: IKQ75N120CH3XKSA1

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор с изолированным затвором 1.2кВ, 150А, 938Вт, TO-247

Технические параметры

Корпус PG-TO247-3-46
Collector Emitter Saturation Voltage
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 150А
Power Dissipation 938Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 150 A
Continuous Collector Current Ic Max: 150 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 240
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO247-3-46
Packaging: Tube
Part # Aliases: IKQ75N120CH3 SP001220142
Pd - Power Dissipation: 938 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: IGBT HighSpeed 3
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: TRENCHSTOP
Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A
Gate Charge 370nC
IGBT Type -
Input Type Standard
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power - Max 938W
Series -
Supplier Device Package PG-TO247-3-46
Switching Energy 6.4mJ(on), 2.8mJ(off)
Td (on/off) @ 25В°C 34ns/282ns
Test Condition 600V, 75A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Maximum Continuous Collector Current 150 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 938 W
Package Type PG-TO247-3-46
Вес, г 8.77

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2090 КБ
Datasheet
pdf, 1608 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов