IXFQ140N20X3, Транзистор: N-MOSFET, X3-Class, полевой, 200В, 140А, 520Вт, TO3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 280 руб.
от 3 шт. —
2 570 руб.
от 10 шт. —
2 100 руб.
от 30 шт. —
1 910.08 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 280 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, X3-Class, полевой, 200В, 140А, 520Вт, TO3P Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Drain current | 140A |
| Drain-source voltage | 200V |
| Gate charge | 127nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 9.6mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 520W |
| Reverse recovery time | 90ns |
| Technology | HiPerFET™, X3-Class |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 140A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 127nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7660pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 70A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HiPerFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
| Вес, г | 5.25 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
