IXA30PG1200DHGLB, Модуль: IGBT, диод/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,2кВ, Ic: 30А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 480 руб.
от 3 шт. —
3 550 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 480 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors
Описание Модуль: IGBT, диод/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,2кВ, Ic: 30А Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | SMPD-B |
| Collector current | 30A |
| Electrical mounting | SMT |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | IXYS |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Power dissipation | 150W |
| Pulsed collector current | 75A |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Technology | ISOPLUS™, Sonic FRD™ |
| Topology | IGBT half-bridge |
| Type of module | IGBT |
| Вес, г | 8 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
