IXFN80N60P3, Модуль, одиночный транзистор, 600В, 66А, SOT227B, Ugs: ±40В, 960Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 350 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 350 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\Transistor modules MOSFET\Semiconductors
Описание Модуль, одиночный транзистор, 600В, 66А, SOT227B, Ugs: ±40В, 960Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Drain current | 66A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Electrical mounting | screw |
| Gate charge | 0.19µC |
| Gate-source voltage | ±40V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | IXYS |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 77mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 960W |
| Pulsed drain current | 200A |
| Reverse recovery time | 250ns |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | HiPerFET™, Polar3™ |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Вес, г | 37.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 132 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
