NTE2913, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 80А, Idm: 390А, 200Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 шт., срок 6 недель
1 480 руб.
от 3 шт. —
1 300 руб.
от 10 шт. —
1 010 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 480 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 80А, Idm: 390А, 200Вт, TO247 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Drain current | 80A |
| Drain-source voltage | 55V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | NTE Electronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 8mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 200W |
| Pulsed drain current | 390A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 7.91 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 75 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![IPW60R060P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET 600В 48А [PG-TO247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5Вт [2-5N1A]](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC000254166.jpg)
![FCA47N60, Транзистор, N-канал 600В 47А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
