IXFQ50N60P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 50А, 1040Вт, TO3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 430 руб.
от 3 шт. —
1 900 руб.
от 10 шт. —
1 560 руб.
от 30 шт. —
1 412.33 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 430 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 50А, 1040Вт, TO3P Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Drain current | 50A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate charge | 94nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.16Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.04kW |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 5.29 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 148 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
