SQJ481EP-T1_GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
490 руб.
от 2 шт. —
400 руб.
от 5 шт. —
323 руб.
от 10 шт. —
297.36 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 490 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -80В, -9,2А, 15Вт, PowerPAK® SO8 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 16A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
FET Feature | - |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 45W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 10A, 10V |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
Supplier Device Package | PowerPAKВ® SO-8 |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
Техническая документация
Документация
pdf, 249 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары