SQJ481EP-T1_GE3

SQJ481EP-T1_GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
490 руб.
от 2 шт.400 руб.
от 5 шт.323 руб.
от 10 шт.297.36 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 490 руб.
Номенклатурный номер: 8002912098

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -80В, -9,2А, 15Вт, PowerPAK® SO8 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 16A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature -
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V
Manufacturer Vishay Siliconix
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 10A, 10V
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
Supplier Device Package PowerPAKВ® SO-8
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250ВµA

Техническая документация

Документация
pdf, 249 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов