IXTA3N150HV, Транзистор N-MOSFET, 1,5кВ, 3А, 250Вт, TO263, 900нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 260 руб.
от 3 шт. —
2 590 руб.
от 10 шт. —
2 090 руб.
от 50 шт. —
1 821.39 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 260 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор N-MOSFET, 1,5кВ, 3А, 250Вт, TO263, 900нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO263 |
| Drain current | 3A |
| Drain-source voltage | 1.5kV |
| Features of semiconductor devices | standard power mosfet |
| Gate charge | 38.6nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 250W |
| Reverse recovery time | 900ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.505 |
Техническая документация
Datasheet IXTA3N150HV
pdf, 157 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
