IKA08N65ET6, Транзистор: IGBT, 650В, 7А, 17Вт, TO220FP, Серия: T6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
400 руб.
от 5 шт. —
310 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 7А, 17Вт, TO220FP, Серия: T6 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Collector current | 7A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 22nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Manufacturer series | T6 |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 17W |
| Pulsed collector current | 25A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | TRENCHSTOP™ 6 |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 2.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2293 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
