ESD8040MUTAG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
610 руб.
от 2 шт. —
510 руб.
от 5 шт. —
438 руб.
от 10 шт. —
406.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Описание
Электроэлемент
Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения HDMI PORT ESD PROTECTION
Технические параметры
Clamping Voltage | 12(TYP) |
Configuration | Array 14 |
Direction Type | Uni-Directional |
Leakage Current | 1 |
Mounting Style | Surface Mount |
Number of Elements | 14 |
Operating Temperature Max Deg. C | 125C |
Operating Temperature Min Deg. C | -55C |
Package / Case | UDFN EP |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 18 |
Product Depth (mm) | 1.5(mm) |
Product Height (mm) | 0.5(mm) |
Product Length (mm) | 5.5(mm) |
Rad Hardened | No |
Suppressor Type | DIODE ARRAY |
Working Voltage | 3.3 |
Cd - емкость диода | 0.35 pF |
Iпи - пиковый импульсный ток | 16 A |
Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазоре | 15 kV |
Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте | 15 kV |
Категория продукта | Диоды для подавления переходных скачков напряжения |
Количество каналов | 14 Channel |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение пробоя | 5.5 V |
Напряжение фиксации | 12 V |
Подкатегория | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes |
Полярность | Unidirectional |
Рабочее напряжение | 3.3 V |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | ESD8040 |
Тип выводов | SMD/SMT |
Тип продукта | ESD Suppressors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | UDFN-18 |
Количество Выводов | 18вывод(-ов) |
Линейка Продукции | ESD80 |
Максимальное Фиксированное Напряжение | 12В |
Стиль Корпуса Диода | UDFN |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet ESD8040MUTAG
pdf, 275 КБ
Datasheet ESD8040MUTAG
pdf, 383 КБ
Документация
pdf, 318 КБ
Диоды защитные импортные
pdf, 732 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды защитные (TVS)»
Типы корпусов импортных диодов