MBR2535CTLG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
820 руб.
от 2 шт. —
690 руб.
от 5 шт. —
615 руб.
от 10 шт. —
576.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 820 руб.
Описание
Электроэлемент
DIODE, SCHOTTKY, 2X12.5A, 35V; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:35V; Forward Current If(AV):12.5A; Diode Configuration:Dual Common Cathode; Diode Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Forward Voltage VF Max:550mV; Forward Surge Current Ifsm Max:150A; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:MBR25 Series; Automotive Qualification Standard:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Current If @ Vf:12.5A; Current Ifsm:150A; Device Marking:MBR2535CTL; Diode Type:Schottky; Forward Current If Max:25A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Semiconductor Technology:Si
Технические параметры
Avg. Forward Curr (Max) | 25 |
Configuration | Dual Common Cathode |
Forward Current | 25000(mA) |
Forward Voltage | 0.55(V) |
Maximum Forward Current | 25000(mA) |
Mounting | Through Hole |
Operating Temp Range | -65C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | TO-220AB |
Packaging | Rail/Tube |
Peak Forward Voltage | 0.55(V) |
Peak Non-Repetitive Surge Current | 150(A) |
Peak Non-Repetitive Surge Current (Max) | 150 |
Peak Rep Rev Volt | 35(V) |
Peak Reverse Current | 5000(uA) |
Pin Count | 3+Tab |
Rad Hardened | No |
Rectifier Type | Schottky Diode |
Rev Curr | 5000(uA) |
Diode Configuration | Common Cathode |
Diode Technology | Schottky Barrier |
Diode Type | Schottky |
Maximum Continuous Forward Current | 25A |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 2 |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 150A |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 35V |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MBR2535CTLG
pdf, 77 КБ
Диоды Шоттки серии MBR
pdf, 134 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов