BC846W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
92 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
40 руб.
от 10 шт. —
22 руб.
от 100 шт. —
6.33 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 184 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Электроэлемент
TRANS, AEC-Q101, NPN, 65V, 0.1A, 0.2W; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:450hFE;
Технические параметры
Lead Finish | Tin |
Max Processing Temp | 260 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 0.76@0.5mA@10mAI0.9@5mA@100mA V |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.2@0.5mA@10mAI0.4@5mA@100mA V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 65 V |
Maximum DC Collector Current | 0.1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Minimum DC Current Gain | 110@2mA@5V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -65 to 150 °C |
Type | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.2 mm |
Другие названия товара № | BC846W T/R |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.35 mm |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 849 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов