BC846W

Фото 1/3 BC846W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
92 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.40 руб.
от 10 шт.22 руб.
от 100 шт.6.33 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 184 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8002973300
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Электроэлемент
TRANS, AEC-Q101, NPN, 65V, 0.1A, 0.2W; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:450hFE;

Технические параметры

Lead Finish Tin
Max Processing Temp 260
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 0.76@0.5mA@10mAI0.9@5mA@100mA V
Maximum Collector Base Voltage 80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.2@0.5mA@10mAI0.4@5mA@100mA V
Maximum Collector Emitter Voltage 65 V
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Power Dissipation 200 mW
Minimum DC Current Gain 110@2mA@5V
Mounting Surface Mount
Operating Temperature -65 to 150 °C
Type NPN
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Другие названия товара № BC846W T/R
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-323-3
Ширина 1.35 mm
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 849 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов