MMBF5484LG

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

120 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 70 руб.

от 10 шт. — 52 руб.

от 54 шт. — 37.17 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 240 руб.

Номенклатурный номер: 8002973506

Электроэлемент

RF Small Signal Field-Effect Transistor, Very High Frequency Band, N-Channel JFET, TO-236AB

Category	Discrete Semiconductor Products
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	1mA @ 15V
Current Drain (Id) - Max	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Family	JFETs(Junction Field Effect)
FET Polarity	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5pF @ 15V
Mounting Type	Surface Mount
Other Names	MMBF5484LT1GOSDKR
Package / Case	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Power - Max	225mW
Resistance - RDS(On)	-
Series	-
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)	25V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	300mV @ 10nA
Channel Type	N
Configuration	Single
Lead Finish	Matte Tin
Max Processing Temp	260
Maximum Drain Gate Voltage	25 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V
Mounting	Surface Mount
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Вес, г	0.1

Мы рекомендуем