MMBF5486

Фото 1/2 MMBF5486
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
210 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 210 руб.
Номенклатурный номер: 8002973510

Описание

Электроэлемент
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

Технические параметры

Channel Type N
Forward Transconductance (Typ) 0.008(MAX)(S)
Input Capacitance (Typ)@Vds 5(MAX)@15V(pF)
Mounting Surface Mount
Noise Figure (Max) 4(dB)
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Output Capacitance (Typ)@Vds 2(MAX)@15V(pF)
Package Type SOT-23
Packaging Tape and Reel
Pin Count 3
Power Dissipation (Max) 225(mW)
Rad Hardened No
Reverse Capacitance (Typ) 1(MAX)@15V(pF)
Screening Level Military
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
Lead Shape Gull-wing
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 1
Maximum Gate Source Voltage (V) -25
Maximum IDSS (uA) 20000
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 225
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Number of Elements per Chip 1
Part Status Active
PCB changed 3
PPAP No
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Type JFET
Typical Output Capacitance @ Vds (pF) 2(Max)@15V
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) 1(Max)@15V
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 324 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов