PUMH9
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
95 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
41 руб.
от 10 шт. —
24 руб.
от 100 шт. —
9.05 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 190 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363; Digital Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Res
Технические параметры
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Другие названия товара № | 934055557115 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.213 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | TSSOP-6 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Base Product Number | P*MH9 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Power - Max | 300mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 6-TSSOP |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250ВµA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 300mW |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | UMT |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Typical Input Resistor | 10 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 0.21, 1 |
| Вес, г | 0.006 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 778 КБ
Datasheet
pdf, 785 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 68 КБ
Документация
pdf, 785 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
