CY7C1041GN30-10ZSXI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 220 руб.
от 2 шт. —
1 070 руб.
от 5 шт. —
965 руб.
от 10 шт. —
917.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 220 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Память SRAM, 256Кx16бит, 2,2-3,6В, 10нс, TSOP44 II, параллельный Характеристики | Категория | Микросхема |
| Тип | памяти |
| Вид | SRAM |
Технические параметры
| Access Time | 10 ns |
| Brand | Cypress Semiconductor |
| Factory Pack Quantity | 135 |
| Interface Type | Parallel |
| Manufacturer | Cypress Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +85 C |
| Memory Size | 4 Mbit |
| Memory Type | SDR |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Operating Temperature Range | -40 C to+85 C |
| Organization | 256 k x 16 |
| Package / Case | TSOP-44 |
| Packaging | Tray |
| Product Category | SRAM |
| RoHS | Details |
| Supply Current - Max | 45 mA |
| Supply Voltage - Max | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min | 2.2 V |
| Type | Asynchronous |
| Access Time: | 10 ns |
| Brand: | Infineon/Cypress |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1350 |
| Interface Type: | Parallel |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Memory Size: | 4 Mbit |
| Memory Type: | Volatile |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Organisation: | 256 k x 16 |
| Package/Case: | TSOP-44 |
| Packaging: | Tray |
| Product Category: | SRAM |
| Product Type: | SRAM |
| Subcategory: | Memory и Data Storage |
| Supply Current - Max: | 45 mA |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 2.2 V |
| Type: | Asynchronous |
| Вес, г | 2.366 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
