Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › KSP42

KSP42

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

110 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 47 руб.

от 10 шт. — 26 руб.

от 100 шт. — 8.24 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 220 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8002978599

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo - Ammo Pack (Alt: KSP42TA)

Технические параметры

Lead Finish	Matte Tin
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	0.9@2mA@20mA V
Maximum Collector Base Voltage	300 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	0.5@2mA@20mA V
Maximum Collector Emitter Voltage	300 V
Maximum DC Collector Current	0.5 A
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Power Dissipation	625 mW
Minimum DC Current Gain	25@1mA@10VI40@10mA@10VI40@30mA@10V
Mounting	Through Hole
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Type	NPN
Hfe при напряжении к-э, В	10
Hfe при токе коллектора, А	0.03
Диапазон рабочих температур, оС	-55…150
Статический коэффициент передачи тока hfe мин	40
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-92
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Automotive	No
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Through Hole
Material	Si
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	0.9@2mA@20mA
Maximum Collector Base Voltage (V)	300
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)	100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.5@2mA@20mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	300
Maximum DC Collector Current (A)	0.5
Maximum Emitter Base Voltage (V)	6
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	625
Maximum Transition Frequency (MHz)	50(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Packaging	Fan-Fold
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Product Category	Bipolar Small Signal
Standard Package Name	TO
Supplier Package	TO-92
Вес, г	0.32