IXGH60N60C3D1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
4 120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 120 руб.
Описание
Электроэлемент
Transistor, Igbt, 600V, 75A, To-247 Rohs Compliant: Yes |Ixys Semiconductor IXGH60N60C3D1
Технические параметры
Brand | IXYS |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 600 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 75 A |
Factory Pack Quantity | 90 |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Height | 21.46 mm |
Length | 16.26 mm |
Manufacturer | IXYS |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 380 W |
Product | IGBT Silicon Modules |
Product Category | IGBT Modules |
RoHS | Details |
Series | IXGH60N60 |
Tradename | GenX3 |
Unit Weight | 0.056438 oz |
Width | 5.3 mm |
Brand: | IXYS |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.2 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 75 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247AD-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 380 W |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Series: | IXGH60N60 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | GenX3 |
Вес, г | 6.51 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 236 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.