Реклама
Рекламодатель: АО «ЧИП и ДИП»
erid: LjN8KJZnZ

DS1230W-100+, NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM

DS1230W-100+, NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 430 руб.
от 12 шт.7 190 руб.
от 24 шт.6 260 руб.
от 60 шт.6 102.18 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 430 руб.
Номенклатурный номер: 8004716966
Артикул: DS1230W-100+
Бренд: Analog Devices

Описание

Полупроводниковые приборы\ИС памяти\NVRAM
NVRAM 3.3V 256k Энергонезависимая SRAM

Технические параметры

Вид монтажа Through Hole
Время доступа 100 ns
Высота 9.4 mm
Длина 39.12 mm
Другие названия товара № 90-1230W+100 DS1230W
Категория продукта NVRAM
Максимальная рабочая температура + 70 C
Минимальная рабочая температура 0 C
Напряжение питания - макс. 3.6 V
Напряжение питания - мин. 3 V
Организация 32 k x 8
Подкатегория Memory Data Storage
Производитель Maxim Integrated
Рабочее напряжение питания 3.3 V
Рабочий ток источника питания 50 mA
Размер памяти 256 kbit
Размер фабричной упаковки 12
Серия DS1230W
Тип NVSRAM
Тип интерфейса Parallel
Тип продукта NVRAM
Торговая марка Maxim Integrated
Упаковка Tube
Упаковка / блок EDIP-28
Ширина 18.29 mm
Ширина шины данных 8 bit
Category Integrated Circuits(ICs)
Family Memory
Format - Memory RAM
Interface Parallel
Memory Size 256K(32K x 8)
Memory Type NVSRAM(Non-Volatile SRAM)
Operating Temperature 0°C ~ 70°C
Package / Case 28-DIP Module(0.600", 15.24mm)
Packaging Tube
Product Training Modules Lead(SnPb)Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
Speed 100ns
Standard Package 12
Supplier Device Package 28-EDIP
Voltage - Supply 3 V ~ 3.6 V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 185 КБ
Datasheet
pdf, 196 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем